• IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM
  • Tính năng sản phẩm: - Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor  thông thường mà ta đã biết. - Nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu…

Sản Phẩm

Điện Lạnh

Dịch Vụ

Thương Hiệu